เนคเทค
English/ ไทย	ทั่วโลก

แนะนำเนคเทค

การวิจัยพัฒนาออกแบบและวิศวกรรม

การถ่ายทอดเทคโนโลยี

การพัฒนาบุคลากร

นโยบายและโครงสร้างพื้นฐาน

ข่าวและกิจกรรม

บริการผ่านเว็บ

เอกสารเผยแพร่

ถาม-ตอบ

ติดต่อเรา

แผนผังเว็บไซต์

กระบวนการถ่ายแบบไอซี ด้วยเครื่อง Direct Write Laser Pattern Generator
กระบวนการถ่ายแบบ (Lithography) ในการผลิตวงจรรวม (หรือ ผลิตไอซี) เป็นกระบวนการที่กําหนดลวดลายวงจร ก่อนเข้าสู่กระบวนการกัดสาร (Etching) หรือยิงฝังประจุ
หลักการ ฉายแสงจากเครื่องกำเนิดแสง ผ่านแผ่นต้นแบบ (Mask) ลงบนแผ่นเวเฟอร์เคลือบนํ้ายาไวแสง (Resist) แล้วนำเวเฟอร์ไปล้างด้วย Developer ฟิล์มไวแสงเฉพาะ ส่วนที่โดนแสง จะหลุดออก ทำให้เวเฟอร์บางบริเวณ มี ฟิล์มปิด บางบริเวณไม่มีฟิล์มปิด ส่วนที่ มี / ไม่มี ฟิล์มปิด นี้ถือลวดลายชั่วคราวเหนือผิว เวเฟอร์ เมื่อเข้ากระบวนการผลิตขั้นถัดไป เช่นการกัดสาร บริเวณที่ไม่มีฟิล์มปิดจะถูกสารเคมีกัดเนื้อของเวเฟอร์ออก แต่ผิวเวเฟอร์ที่มีฟิล์มปกป้องจะคงอยู่ หลังขจัดฟิล์มไวแสงทั้งหมดออก (Stripping) เกิดเป็นลายถาวรบนเวเฟอร์
Chip layout ของไอซี ที่ออกแบบ เป็น Layer ซ้อนทับกันนำไป แยกสร้างแผ่นต้นแบบ	แผ่นต้นแบบ (Mask) สร้างจากแก้วใสฉาบด้วยโครม (Chrome) ทึบแสง เมื่อผ่านกระบวนการสร้างต้นแบบ (Mask making) โครมบางบริเวณถูกกัดออก บางบริเวณคงอยู่ เกิดเป็นลวดลาย ทึบ (มีโครมกั้นแสง) และ ลวดลายใส (ไม่มีโครมกั้นแสง) การสร้างวงจรรวม เวเฟอร์ต้องผ่านการลอกลาย จาก แผ่นต้นแบบทีละแผ่น โดยแต่ละแผ่นมีลวดลายต่างกัน ถูกใช้บนเวเฟอร์เดียวกัน เรียงตามลำดับการออกแบบ
เครื่อง Direct Write Laser Pattern Generator DWL 2.0
			ส่วน CONVERT ใช้แปลงไฟล์ จาก Layout design ส่วน Exposure : กำหนด และเขียนจำนวน/ชนิด chip บนแผ่นต้นแบบ
Mask Aligner ถ่ายแบบจากแผ่นต้นแบบ ลงบน wafer			เครื่อง DWL สามารถถ่ายแบบไอซีลงบนเวเฟอร์เคลือบฟิล์มไวแสงโดยไม่ใช้แผ่นต้นแบบ แต่ใช้เวลาเขียนนาน เพราะ เขียนทีละแนวๆ จนครบชิพ แล้วจึงเริ่ม ชิพใหม่ ในขณะที่การถ่ายแบบ โดยใช้แผ่นต้นแบบ เช่นเครื่อง Mask aligner สามารถลอกลายจาก Mask หนึ่ง แผ่น ที่มีหลายชิพ ลงบนเวเฟอร์ด้วยการฉายแสง เพียงครั้งเดียวจึงมี throughput สูงกว่าหลายเท่า
การสร้างแผ่นต้นแบบ เพื่อกำหนดว่า โครมบริเวณใด บนแผ่นต้นแบบ จะถูกกัดออกบริเวณใดคงอยู่ ใช้หลักการของ Lithography (เคลือบฟิล์มไวแสง - ฉายแสง - ล้างฟิล์ม) เช่นกัน ข้อแตกต่างอยู่ตรงที่ การฉายแสงต้อง ใช้ เครื่องจักรที่สามารถ เขียนลายวงจรรวมที่ออกแบบ ลงบนแผ่นต้นแบบที่เคลือบสารไวแสงได้ โดยตรง เช่น เครื่อง Direct Write Laser Pattern Generator รุ่น DWL 2.0
			แผ่นต้นแบบ สำหรับชั้นโพลีซิลิกอน ของ MOS 5 ไมครอน จำนวน 100 chips ที่ผลิตในโครงการความร่วมมือ NTT-AT /TMEC-NECTEC/ ERC-KMITL
บริการ ปัจจุบัน เครื่อง DWL 2.0 ของ ศูนย์เทคโนโลยีไมโครอิเล็กทรอนิกส์ ( TMEC/RDE1) ติดตั้งชั่วคราวอยู่ที่ ศูนย์วิจัยอิเล็กทรอนิกส์ สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าฯลาดกระบัง สำหรับสร้างต้นแบบ ใน โครงการความร่วมมือ NTT-AT /TMEC-NECTEC/ ERC-KMITL เพื่อพัฒนาเทคโนโลยีกระบวนการ ผลิตวงจรรวมแบบซีมอส (CMOS Integrated Circuits Fabrication Technology) และ สามารถให้บริการสร้างแผ่นต้นแบบวงจรรวม หรือถ่ายแบบลงบนแผ่นเวเฟอร์ ได้ที่ระดับเทคโนโลยี 5 ไมครอน (รายละเอียด http://tmec.nectec.or.th)

NSTDA  ||  NECTEC ||  BIOTEC  ||  MTEC ||  NITC ||  SOFTWARE PARK ||  GITS ||  ECRC ||  BID ||  SCHOOLNET ||  BCP  ||  RDD สงวนลิขสิทธิ์โดยศูนย์เทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์และคอมพิวเตอร์แห่งชาติ 112 อุทยานวิทยาศาสตร์ประเทศไทย ถนนพหลโยธิน ตำบลคลองหนึ่ง อำเภอคลองหลวง จังหวัดปทุมธานี 12120 โทร 02-564-6900 ต่อ 2346-55 E-mail : หรือ แผนที่