| เครื่องยิงฝังประจุ สำหรับงานสารกึ่งตัวนำ Ion Implanter | |
 |
การยิงฝังประจุ
(Ion Implantation) เป็นกระบวนการที่ใช้สำหรับเจือสาร (Doping) ลงบนผลึกฐานซิลิคอน
ในขั้นตอนสร้างรอยต่อ พี-เอ็น (p-n junction) ซึ่งเป็นโครงสร้างสำคัญในการผลิตทรานซิสเตอร์
สำหรับวงจรรวม (Integrated Circuit: IC) ประจุที่ใช้เป็นประจุบวก เกิดจากการแยกสลายก๊าซให้เป็นพลาสมาในบริเวณ Ion Source เช่น ใช้ก๊าซ Phosphine (PH3) ในการสร้างประจุ P+ เพื่อเจือสารให้ผลึกซิลิคอนกลายเป็นสารกึ่งตัวนำชนิด เอ็น และใช้ก๊าซ Boron Trifluoride (BF3) เพื่อสร้างประจุ B+ ในการเจือซิลิคอนให้เป็นชนิด พี |
| จากนั้นประจุบวกจะถูกแยกออกมาด้วยสนามไฟฟ้า
20 กิโลโวลต์ ผ่านเข้าสู่ Analyzer Magnet เพื่อคัดแยกเฉพาะประจุที่มีมวลโมเลกุลที่ต้องการเข้าสู่
Acceleration Tube เพื่อเพิ่มพลังงานของประจุผ่านระบบเลนส์และ X-Y Scanner
ไปโฟกัส และกวาดบนแผ่นผลึกฐานซิลิคอน พลังงานของประจุ กำหนดได้ด้วยความต่างศักย์ไฟฟ้าของ Acceleration Tube ซึ่งสามารถแปรค่าได้ตั้งแต่ 0 ถึง 180 กิโลโวลต์ ซึ่งเมื่อรวมกับศักดา 20 กิโลโวลต์ ในการแยกประจุ ค่าพลังงานของประจุสามารถควบคุมได้ในช่วง 20 ถึง 200 กิโลอิเล็กตรอนโวลต์ ซึ่งพลังงานนี้จะเป็นตัวแปรสำคัญในการกำหนดความลึกของรอยต่อ พี-เอ็น |
|
 |
|
 |
 |
| เครื่องยิงฝังประจุ Varian รุ่น 350D ติดตั้งใช้งานที่ ศูนย์วิจัยอิเล็กทรอนิกส์ สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง ภายใต้การดูแลของศูนย์เทคโนโลยีไมโครอิเล็กทรอนิกส์ (TMEC) | |
 |
ชิ้นงานผลึกซิลิคอน (ในภาพจะเห็นเป็นชิ้น 1/4 ของวงกลม) ถูกติดตั้งบน Platen ในส่วนของ Target เพื่อใช้ในการทดสอบการยิงฝังประจุ Platen นี้สามารถปรับใช้ได้กับผลึกซิลิคอนที่มีเส้นผ่านศูนย์กลาง 6 นิ้ว |
| NSTDA
|| NECTEC ||
BIOTEC || MTEC || NITC ||
SOFTWARE
PARK || GITS || ECRC || BID || SCHOOLNET ||
BCP || RDD
สงวนลิขสิทธิ์โดยศูนย์เทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์และคอมพิวเตอร์แห่งชาติ 112 อุทยานวิทยาศาสตร์ประเทศไทย ถนนพหลโยธิน ตำบลคลองหนึ่ง อำเภอคลองหลวง จังหวัดปทุมธานี 12120 โทร 02-564-6900 ต่อ 2346-55 E-mail :  หรือ แผนที่ |