เนคเทค
English/ ไทย	ทั่วโลก

แนะนำเนคเทค

การวิจัยพัฒนาออกแบบและวิศวกรรม

การถ่ายทอดเทคโนโลยี

การพัฒนาบุคลากร

นโยบายและโครงสร้างพื้นฐาน

ข่าวและกิจกรรม

บริการผ่านเว็บ

เอกสารเผยแพร่

ถาม-ตอบ

ติดต่อเรา

แผนผังเว็บไซต์

เครื่องปลูกฟิล์มบางด้วยไอสารเคมี ในสภาวะความดันต่ำ Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD)
ฟิล์มบางของซิลิคอน และอนุพันธ์ ถูกสร้างเพื่อเป็นส่วนประกอบของอุปกรณ์สารกึ่งตัวนำ โดยเฉพาะอย่างยิ่งเทคโนโลยีการผลิตวงจรรวมขนาดใหญ่มาก (Very Large Scale Integrated Circuit : VLSI) เช่น ฟิล์มบางโพลีคริสตัลซิลิคอน ทำหน้าที่เป็น เกต (Gate) ในทรานซิสเตอร์แบบมอส หรือเป็นตัวต้านทาน และตัวเก็บประจุ ในขณะที่ฟิล์มซิลิคอนไดออกไซด์ (SiO2) ทำหน้าที่เป็นฉนวน หรือ ไดอิเล็กตริก ส่วนฟิล์มบางซิลิคอนไนไตรด์ (Si3N4) ทำหน้าที่เป็นชั้นฉนวนป้องกันอุปกรณ์ (Passivation Layer)
เครื่อง LPCVD SVG THERMCO รุ่น TMX 2604 ติดตั้งที่ศูนย์เทคโนโลยีไมโครอิเล็กทรอนิกส์ (TMEC) จ.ฉะเชิงเทรา สำหรับการปลูกฟิล์มบางบนแผ่นซิลิคอนเส้นผ่านศูนย์กลางสูงสุด 6
เครื่อง LPCVD SVG THERMCO รุ่น TMX 2403 ติดตั้งที่ศูนย์วิจัยอิเล็กทรอนิกส์ สถาบันเทคโนโลยีพระจอมเกล้าเจ้าคุณทหารลาดกระบัง ในการดูแลของศูนย์เทคโนโลยีไมโครอิเล็กทรอนิกส์ (TMEC) สำหรับการปลูกฟิล์มบางบนแผ่นซิลิคอนเส้นผ่านศูนย์กลางสูงสุด 4 นิ้ว
เครื่อง LPCVD จะมีท่อทำปฏิกิริยาทำจากวัสดุควอทซ์ทนความร้อน โดยมีขดลวดให้ความร้อนอยู่ด้านนอก ควบคุมอุณหภูมิให้ผิดพลาดได้ไม่เกิน 2 องศาเซลเซียส ปลายท่อทั้งสองข้างถูกปิดด้วยฝาโลหะสเตนเลสที่มีการต่อท่อนำก๊าซเข้าสู่ระบบทางด้านหน้า และท่อด้านหลังจะเชื่อมต่อกับระบบสุญญากาศ ซึ่งสามารถทำให้ความดันในท่อลดลงเหลือ 10 มิลลิทอร์ (สภาพความดันปกติที่ระดับน้ำทะเลเท่ากับ 760 ทอร์) นิ้ว
	ก๊าซที่จะใช้ในการทำปฏิกิริยาจะถูกควบคุมการไหลในอัตราที่กำหนดเพื่อให้เกิดการทำปฏิกิริยาภายในระบบ เพื่อให้เกิดฟิล์มบางตามที่ต้องการ เช่นใช้ก๊าซไดคลอโรไซเลน (SiH2Cl2) กับ แอมโมเนีย (NH3) ในการทำปฏิกิริยาที่อุณหภูมิ 775 oC ให้เกิดฟิล์ม Si3N4 และการใช้ก๊าซ ไซเลน (SiH4) สำหรับปลูกฟิล์มโพลีซิลิคอน ที่อุณหภูมิ 620 oC หรือหากผสมกับออกซิเจน ที่อุณหภูมิ 440 oC ก็จะได้ฟิล์มบางของซิลิคอนไดออกไซด์ ภาพตัดขวาง ขยายด้วยกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอน 17,000 เท่า แสดงให้เห็นชั้นฟิล์มบางซิลิคอนชนิดต่างๆ ที่เคลือบลงบนผลึกฐานซิลิคอน
การปลูกฟิล์มบางในสภาพความดันต่ำ จะทำให้ได้ชั้นฟิล์มที่มีความบริสุทธิ์สูง มีความเครียดของฟิล์มน้อย และเป็นวิธีที่เหมาะกับการปลูกฟิล์มลงบนพื้นผิวที่มีลักษณะสูงต่ำ เช่นการผลิตวงจรรวม เป็นต้น อีกประการหนึ่งคือสามารถปลูกฟิล์มบางในพื้นที่กว้างให้มีความหนาของชั้นฟิล์มสม่ำเสมอได้ดี เนื่องจากเป็นวิธีที่มีอัตราการปลูกฟิล์มต่ำมาก (ประมาณ 1 ถึง 10 นาโนเมตรต่อนาที) ดังภาพแสดงการแปรเปลี่ยนความหนาของฟิล์ม 3 ชนิดที่ปลูกบนแผ่นผลึกซิลิคอนขนาด 4 นิ้ว จะเห็นว่ามีการแปรปรวนของความหนาในช่วงไม่เกิน 40 นาโนเมตร

NSTDA  ||  NECTEC ||  BIOTEC  ||  MTEC ||  NITC ||  SOFTWARE PARK ||  GITS ||  ECRC ||  BID ||  SCHOOLNET ||  BCP  ||  RDD สงวนลิขสิทธิ์โดยศูนย์เทคโนโลยีอิเล็กทรอนิกส์และคอมพิวเตอร์แห่งชาติ 112 อุทยานวิทยาศาสตร์ประเทศไทย ถนนพหลโยธิน ตำบลคลองหนึ่ง อำเภอคลองหลวง จังหวัดปทุมธานี 12120 โทร 02-564-6900 ต่อ 2346-55 E-mail : หรือ แผนที่